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MDPspot少子壽命測試儀

  • 更新時(shí)間:  2024-03-04
  • 產(chǎn)品型號:  MDPspot-1
  • 簡(jiǎn)單描述
  • MDPspot少子壽命測試儀低成本桌面單點(diǎn)測量硅片或晶磚,用于在不同制備階段表征各種不同的硅樣品,無(wú)需內置自動(dòng)化??蛇x手動(dòng)操作的z軸厚度高達156毫米的硅磚樣品,高達156毫米硅磚,結果可視化的標準軟件。
詳細介紹

MDPspot W

包括一個(gè)額外的電阻率測量選項。測量硅的電阻率,可用于沒(méi)有高度調節可能性的晶圓,或晶磚。必須預先定義這兩個(gè)選項中的一個(gè)。

     

     

           


     

MDPspot少子壽命測試儀特點(diǎn):        

◇  無(wú)接觸無(wú)破壞的電學(xué)半導體特性        

◇  包括μ-PCD測量選項        

◇  對迄今為止看不見(jiàn)的缺陷的可視化和外延層的研究具有*的靈敏度        

◇  集成多達四個(gè)激光器,用于寬的注入水平范圍

◇  獲取單次瞬變的原始數據以及用于特殊評估目的的地圖        


技術(shù)規格:  

   

單晶或多晶片、晶磚、電池、硅片、鈍化或擴散等不同生產(chǎn)步驟后的晶片

樣品尺寸

50 x 50 mm2 以上到 12“ 或 210 x 210 mm2

電阻率

0.2 - 103Ω·cm

材料

晶片、晶磚、部分或加全部工的硅片、化合物半導體等

測量參數

載流子壽命

尺寸

360 x 360 x 520 mm, 重量: 16 kg

電力

110/220 V, 50/60 Hz, 3 A










       

MDPspot少子壽命測試儀優(yōu)點(diǎn):        

◇  臺式裝置,用于載流子壽命的單點(diǎn)測量,多晶硅或單晶硅在不同的制備階段,從原生材料到器件。        

◇  體積小,成本低,使用方便。附帶一個(gè)基本的軟件,用于在小型PC或筆記本上進(jìn)行結果可視化。        

◇  適用于硅片到磚,操作高度調節方便。


細節:        

◇  允許單晶圓片調查        

◇  不同的晶圓級有不同的配方        

◇  監控物料、工藝質(zhì)量和穩定性      


附加選項:

◇  光斑大小變化

◇  電阻率測量(晶片)

◇  背景/偏置光

◇  反射測量(MDP)

◇  軟件擴展

◇  額外的激光器選配


MDPspot 應用:

鐵濃度測定

鐵的濃度的精確測定是非常重要的,因為鐵是硅中豐富也是有害的缺陷之一。因此,有必要盡可能準確和快速地測量鐵濃度,具有非常高的分辨率且**是在線(xiàn)的

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摻雜樣品的光電導率測量

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陷阱濃度測定

陷阱中心是非常重要的,為了了解材料中載流子的行為,也可以對太陽(yáng)能電池產(chǎn)生影響。因此,需要以高分辨率測量這些陷阱中心的陷阱密度活化能。

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注入相關(guān)測量

少數載流子壽命強烈依賴(lài)于注入(過(guò)剩余載流子濃度)。從壽命曲線(xiàn)的形狀和高度可以推斷出摻雜復合中心俘獲中心的信息。

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