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少子壽命測試儀µPCD/MDP (MDPpro 850+)

  • 更新時(shí)間:  2024-03-04
  • 產(chǎn)品型號:  MDPpro 850+1
  • 簡(jiǎn)單描述
  • 少子壽命測試儀&#181;PCD/MDP (MDPpro 850+)用于單晶硅錠、硅磚和硅晶圓片的生產(chǎn)和質(zhì)量監控。用于HJT、HIT、TOPcon、雙面PERC、PERC+太陽(yáng)能電池、鈣鈦礦等中的硅材料。
詳細介紹

少子壽命測試儀µPCD/MDP (MDPpro 850+)

用于單晶硅錠、硅磚和硅晶圓片的生產(chǎn)和質(zhì)量監控。用于HJT、HIT、TOPcon、雙面PERC、PERC+太陽(yáng)能電池、鈣鈦礦等中的硅材料。

       

       

特點(diǎn) :        

◇ 壽命范圍:20 ns至100 ms(樣品電阻率 > 0.3 Ohm cm)   

◇  SEMI標準:PV9-1110        

◇  測試速度:線(xiàn)掃描 < 30 s;完整的面掃秒 < 5 min        

◇  同時(shí)測量:壽命μPCD/MDP(QSS)和電阻率

◇  自動(dòng)幾何形狀識別: G12、M10晶磚和晶圓片        


應用 :   

◇  壽命 & 電阻率面掃描        

◇  晶體生長(cháng)監控(即滑移線(xiàn))        

◇  污染監測

◇  氧條紋/OSF環(huán)       

◇  P 型摻雜硅的鐵面掃描圖

◇  光束感應電流(LBIC)

◇  發(fā)射極層的方阻        

◇  更多…

 

技術(shù)規格 :   

材料單晶硅
晶錠尺寸125  x 125至210 x 210 mm2,晶磚長(cháng)850 mm或更長(cháng)
晶圓尺寸直徑可達300 mm
電阻率范圍0.5 – 5 ohm cm。根據要求提供其他范圍
導電類(lèi)別p/n
可測量的參數壽命-μPCD/MDP(QSS)、光電導率、電阻率等
默認激光器

IR激光二極管(980 nm,不超過(guò)500 mW)和IR激光二極管(905 nm,不超過(guò)9000 mW)??筛鶕筇峁┢渌ㄩL(cháng)

電腦Windows 11或新版本、.NET Framework更新、2個(gè)以太網(wǎng)端口
電力要求100 – 250 V AC, 6 A
尺寸(寬*高*長(cháng))  2560 × 1910 × 1440 mm
重量約200 kg
認證根據ISO 9001準則制造,符合CE要求

      












        

             

直拉硅單晶硅錠中的滑移線(xiàn)


含有大量缺陷的準單晶硅錠的壽命測量


MDP studio -  操作和評估軟件 :

用戶(hù)友好且*的操作軟件具有:

◇  導入和導出功能

◇  帶有操作員的用戶(hù)結構

◇  所有執行的測量概覽

◇  樣品參數輸出

◇  單點(diǎn)測量(例如:注入濃度相關(guān)的測量)

◇  面掃描

◇  測試配方

◇  分析功能包

◇  線(xiàn)掃描和單點(diǎn)瞬態(tài)視圖


配置選項:

◇  光斑尺寸變化

◇  電阻率測量(晶磚和晶圓片)

◇  背景/偏置光

◇  反射測量(MDP)

◇  LBIC

◇  P型摻雜硅中的鐵圖譜

◇  p/n檢測

◇  條碼讀取器

◇  自動(dòng)幾何識別

◇  寬的激光器波長(cháng)范圍


少子壽命測試儀µPCD/MDP (MDPpro 850+)  應用 :        

鐵濃度測定

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遠程訪(fǎng)問(wèn)基于IP的系統允許在世界任何地方進(jìn)行遠程操作和技術(shù)支持

多晶硅晶圓線(xiàn)掃描HJT晶圓的壽命測量

       

         

       


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