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MDPmap單晶和多晶硅片壽命測量?jì)x

  • 更新時(shí)間:  2024-03-04
  • 產(chǎn)品型號:  MDPmap-1
  • 簡(jiǎn)單描述
  • MDPmap單晶和多晶硅片壽命測量?jì)x被設計成一個(gè)緊湊的臺式非接觸電學(xué)表征工具,用于離線(xiàn)生產(chǎn)控制或研發(fā),在穩態(tài)或短脈沖激勵(μ-PCD)下,在一個(gè)寬的注入范圍內測量參數,如載流子壽命、光導率、電阻率和缺陷信息。自動(dòng)化的樣品識別和參數設置允許輕松適應各種不同的樣品,包括外延層和經(jīng)過(guò)不同制備階段的晶圓,從原生晶圓到高達95%的金屬化晶圓。
詳細介紹

MDPmap:     

單晶和多晶硅片壽命測量設備用于復雜的材料研究和開(kāi)發(fā)。         

       

        

特點(diǎn):        

  靈敏度:高的靈敏度,用于可視化迄今為止不可見(jiàn)的缺陷和調查外延層的情況        

◇  測量速度:6英寸硅片<5min,分辨率為1mm        

◇  壽命范圍:20ns到幾十ms        

◇  污染測定:源于坩堝和設備的金屬(鐵)污染        

◇  測量能力:從切割好的硅片到加工的樣品        

◇  靈活性:固定的測量頭可以與外部激光器連接并觸發(fā)        

◇  可靠性:模塊化和緊湊型臺式儀器,可靠性更高,正常運行時(shí)間>99%        

◇  重復性:> 99%        

◇  電阻率:電阻率測繪,無(wú)需頻繁校準        

       
技術(shù)規格:         

樣品尺寸                        

直徑達300mm(標準臺),直徑達450mm(定制),*小為5 x 5mm                        

壽命測量范圍 

20ns至幾十ms以上 

電阻率                        

0.2 - >103Ω·cm,p-型/n-型                        

樣品材料                        

硅片、外延層、部分或加工的硅片、化合物半導體及更多材料                        

可測量的特性

壽命 - μ-PCD/MDP (QSS), 光導率 

激發(fā)波長(cháng)                        

選擇從355nm到1480nm的*多四個(gè)不同波長(cháng)。980nm(默認)                        

尺寸規格                        

體積:680 x 380 x 450毫米;重量:約65公斤                        

電源                        

100 - 250V, 50/60 Hz, 5 A                        










MDPmap單晶和多晶硅片壽命測量?jì)x - 細節:       

◇  用于研發(fā)或生產(chǎn)監控的靈活測繪工具      

◇  MDPmap被設計成一個(gè)緊湊的臺式非接觸電學(xué)表征工具,用于離線(xiàn)生產(chǎn)控制或研發(fā),在穩態(tài)或短脈沖激勵(μ-PCD)下,在一個(gè)寬的注入范圍內測量參數,如載流子壽命、光導率、電阻率和缺陷信息。自動(dòng)化的樣品識別和參數設置允許輕松適應各種不同的樣品,包括外延層和經(jīng)過(guò)不同制備階段的晶圓,從原生晶圓到高達95%的金屬化晶圓。        

◇  MDPmap的主要優(yōu)點(diǎn)是它的高度靈活性,例如,它允許集成多達四個(gè)激光器,用于測量從較低到高的注入水平的壽命,或通過(guò)使用不同的激光波長(cháng)提取深度信息。包括偏置光設施,以及μ-PCD或穩態(tài)注入條件的選項??梢杂貌煌牡貓D進(jìn)行客戶(hù)定義的計算,也可以輸出主要數據進(jìn)行進(jìn)一步評估。對于標準的計量任務(wù),預定義的標準只需按下一個(gè)按鈕就能進(jìn)行常規測量。            


 附加選項:        

       

◇  光斑大小的變化       

◇  電阻率測量(晶圓)        

◇  方塊電阻        

◇  背景/偏光        

◇  反射測量(MDP)        

◇  太陽(yáng)能電池的LBIC(擴散長(cháng)度測量)        

◇  偏壓MDP        

◇  參考晶圓        

◇  硅的內部/外部鐵制圖        

◇  集成加熱臺        

◇  靈活的激光器配置 


MDPmap單晶和多晶硅片壽命測量?jì)x測量案例

                

                

鈍化多晶硅的壽命圖                

多晶硅的鐵污染圖            

                

                

單晶硅的硼氧圖            單晶硅的缺陷密度圖            
          
碳化硅外延片(>10μm)-少數載流子壽命mapping圖(平均壽命τ=0.36μs)            
            
高阻硅片(>10000Ω·cm)-少數載流子壽命mapping圖            
            
非鈍化硅外延片(20μm)-少數載流子壽命mapping圖            


MDPmap 應用:

鐵濃度測定        

鐵的濃度的精確測定是非常重要的,因為鐵是硅中豐富也是有害的缺陷之一。因此,有必要盡可能準確和快速地測量鐵濃度,具有非常高的分辨率且**是在線(xiàn)的        

更多......        

     

摻雜樣品的光電導率測量        

B和P的摻雜在微電子工業(yè)中有許多應用,但到目前為止,沒(méi)有方法可以在不接觸樣品和由于必要的退火步驟而改變其性質(zhì)的情況下檢查這些摻雜的均勻性。迄今為止的困難……        

更多......        

       

       

陷阱濃度測定        

陷阱中心是非常重要的,為了了解材料中載流子的行為,也可以對太陽(yáng)能電池產(chǎn)生影響。因此,需要以高分辨率測量這些陷阱中心的陷阱密度活化能。        

更多......        

       

       

注入相關(guān)測量        

少數載流子壽命強烈依賴(lài)于注入(過(guò)剩余載流子濃度)。從壽命曲線(xiàn)的形狀和高度可以推斷出摻雜復合中心俘獲中心的信息。        

更多......        

      



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