MDP微波探測光誘導電流瞬態(tài)譜儀--少子壽命

?產(chǎn)品介紹

德國Freiberg Instruments的MDPicts（MDP微波探測光誘導電流瞬態(tài)譜儀--少子壽命)，非接觸且無(wú)損傷，用于溫度依賴(lài)的少數載流子壽命測量以及半導體的界面陷阱和體陷阱能級的電性能表征。MDpicts（MDP微波探測光誘導電流瞬態(tài)譜儀--少子壽命)將在半導體材料的基礎研究與開(kāi)發(fā)領(lǐng)域取得廣泛的應用。

?設備特點(diǎn)

 --靈敏度：對半導體材料電學(xué)缺陷有非常高的靈敏度
 --溫度范圍：液氮(77k)至500k?？蛇x:液氦(4k)或更高溫度
 --衰減常數范圍：20納秒到幾毫秒
 --沾污檢測：電學(xué)陷阱基本性能確定：激活能和陷阱的俘獲截面，受溫度和注入  水平影響的少子壽命參數等
 --重復性：> 99.5%，測量時(shí)間：< 60分鐘。液氮消耗：2升/次
 --靈活性：從365 nm 到1480nm，根據不同材料選擇不同波長(cháng)激發(fā)光源
 --可訪(fǎng)問(wèn)性：基于IP的系統允許來(lái)自世界任何地方的遠程操作和技術(shù)支持

圖1. 與溫度有關(guān)的載流子發(fā)射瞬態(tài)

圖2. 不同缺陷的評價(jià)

從Arrhenius斜率(圖3)可以確定活化能

圖3.Arrhenius曲線(xiàn)圖

利用這種新型MDPpicts設備，可在20~500k范圍內測量溫度依賴(lài)性的瞬態(tài)光電導。

Si, GaAs, InP, SiC和其他很多半導體材料已成功采用了這種方法進(jìn)行研究。  

圖4. 不同溫度的Cz-Si晶圓片的MD-PICTS圖譜